onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 110 A, DFN, 表面安装, 8引脚, NVM系列
- RS 库存编号:
- 202-5748
- 制造商零件编号:
- NVMFS6H824NLT1G
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商零件编号:
- NVMFS6H824NLT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 系列 | NVM | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 116W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 52nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 6.3mm | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 长度 | 5.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 110A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 DFN | ||
系列 NVM | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 116W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 6.3mm | ||
宽度 1.1 mm | ||
长度 5.3mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
on ON Semiconductor n 通道 mosfet 的运行电流为 110 安培和 80 伏。它采用小体积设计、具有低 rds （接通）、可最大程度减少传导损耗。
符合 aec Q101 标准
符合 RoHS
无铅
可润侧翼选件