STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=1200 V, 12 A, HiP247, 通孔安装, 3引脚, SCTWA10N120系列

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包装方式：
RS 库存编号:
204-3956P
制造商零件编号:
SCTWA10N120
制造商:
STMicroelectronics
COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 功率 mosfet 利用宽带隙材料 Advanced 、 innovative properties 。这使得每个装置区域具有卓越的接通电阻和非常好的切换性能、几乎不受温度影响。sic 材料的出色热性能与专有 HiP247 封装中的器件外壳相结合、使设计人员可以使用行业标准外形、并显著提高散热能力。这些功能使该设备特别适用于高效率和高功率密度应用。

易于驱动
低电容
非常快速且坚固的固有主体二极管
切换损耗与相比略有变化温度
极高的工作温度能力（ 200 °c ）
导通电阻与之间的差异非常小温度

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