STMicroelectronics N型沟道 增强型 SiC 电源模块, Vds=650 V, 45 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SCTWA35N65G2V系列
- RS 库存编号:
- 204-3957
- 制造商零件编号:
- SCTWA35N65G2V
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | RMB118.85 | RMB3,565.50 |
| 150 + | RMB116.473 | RMB3,494.19 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 204-3957
- 制造商零件编号:
- SCTWA35N65G2V
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | SiC 电源模块 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 45A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | Hip-247 | |
| 系列 | SCTWA35N65G2V | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.072Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 3.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 73nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 240W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 宽度 | 5.1 mm | |
| 高度 | 41.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 SiC 电源模块 | ||
最大连续漏极电流 Id 45A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 Hip-247 | ||
系列 SCTWA35N65G2V | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.072Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 3.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 73nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 240W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 200°C | ||
宽度 5.1 mm | ||
高度 41.2mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 15.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 功率 mosfet 是使用 st Advanced and innovative 2nd generation sic mosfet 技术开发的。该设备的每个装置区域具有非常低的接通电阻和非常好的切换性能。接通电阻和切换损耗的变化几乎独立于接点温度。
低电容
非常快速且坚固的固有主体二极管
导通电阻与之间的差异非常小温度