Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=165 A, 8针, SO-8, SiR626ADP系列
- RS 库存编号:
- 204-7200P
- 制造商零件编号:
- SiR626ADP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计 750 件 (以卷装提供)*
RMB9,566.25
(不含税)
RMB10,809.75
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年8月19日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1490 | RMB12.755 |
| 1500 + | RMB12.372 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 204-7200P
- 制造商零件编号:
- SiR626ADP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 165A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | SiR626ADP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.75mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 83nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 6.25mm | |
| 宽度 | 1.12mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.26mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 165A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 SiR626ADP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.75mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 83nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 6.25mm | ||
宽度 1.12mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.26mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay n channel 60 v （ d-s ） mosfet 适用于最低 rds - qoss fom 。
封装 power pak so-8
trench场 效应第四代功率 mosfet