Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 29 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SIHG105N60EF-GE3, SiHG105N60EF系列
- RS 库存编号:
- 204-7209
- 制造商零件编号:
- SIHG105N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥105.15
(不含税)
¥118.80
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 470 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | RMB21.03 | RMB105.15 |
| 125 - 245 | RMB20.40 | RMB102.00 |
| 250 + | RMB19.992 | RMB99.96 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 204-7209
- 制造商零件编号:
- SIHG105N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 29A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | SiHG105N60EF | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 102mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 53nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 208W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 宽度 | 5.21 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 20.7mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 29A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 SiHG105N60EF | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 102mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 53nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 208W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.87mm | ||
宽度 5.21 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 20.7mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay omm e 系列 power mosfet 的 fast 主体二极管采用 4th e 系列技术。它减少了切换和传导损耗。
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低有效电容（ co （ er ）