Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 81 A, powerpak so - 8DC, 贴片安装, 8引脚, SiDR104ADP系列
- RS 库存编号:
- 204-7218
- 制造商零件编号:
- SiDR104ADP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 204-7218
- 制造商零件编号:
- SiDR104ADP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 81 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | powerpak so - 8DC | |
| 系列 | SiDR104ADP | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0061 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 81 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 powerpak so - 8DC | ||
系列 SiDR104ADP | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 0.0061 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Vishay n 沟道 100 v （ d-s ） mosfet 具有超低 rds x qg 品质因数（ fom ）。它调谐为最低 rds x qoss fom 。
trench场 效应第四代功率 mosfet
经过 100% rg 和 uis 测试
经过 100% rg 和 uis 测试