Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=81 A, 8针, SO-8, SiR104LDP系列

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包装方式：
RS 库存编号:
204-7222
制造商零件编号:
SiR104LDP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

81A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SO-8

系列

SiR104LDP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

6.1mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

110nC

最大功耗 Pd

100W

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

长度

5.26mm

高度

6.25mm

标准/认证

No

宽度

1.12mm

汽车标准

否

Vishay n 沟道 100 v （ d-s ） mosfet 具有超低 rds x qg 品质因数（ fom ）。它调谐为最低 rds x qoss fom 。

trench场 效应第四代功率 mosfet

经过 100% rg 和 uis 测试

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