Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=15 A, 3针, TO-263, SiHB17N80E系列

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RS 库存编号:
204-7226
制造商零件编号:
SIHB17N80E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

15A

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

TO-263

系列

SiHB17N80E

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

290mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

122nC

最大栅源电压 Vgs

30V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

208W

最高工作温度

150°C

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

标准/认证

No

高度

15.88mm

汽车标准

否

Vishay e 系列功率 mosfet 具有低品质因数（ fom ） ron x qg 和低输入电容（ ciss ）。

超低栅极电荷 (Qg)

雪崩能量等级（ uis ）

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