Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 4.4 A, IPAK (TO-251), 通孔安装, 3引脚, SiHU5N80AE系列
- RS 库存编号:
- 204-7229
- 制造商零件编号:
- SIHU5N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 204-7229
- 制造商零件编号:
- SIHU5N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.4 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 系列 | SiHU5N80AE | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 1.35 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.4 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
封装类型 IPAK (TO-251) | ||
系列 SiHU5N80AE | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 1.35 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Vishay e 系列功率 mosfet 具有低品质因数（ fom ） ron x qg 和低输入电容（ ciss ）。
超低栅极电荷 (Qg)
雪崩能量等级（ uis ）
雪崩能量等级（ uis ）