Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 100 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SIDR220DP-T1-RE3, SiDR220DP系列
- RS 库存编号:
- 204-7232P
- 制造商零件编号:
- SIDR220DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计 750 件 (以卷装提供)*
¥10,329.75
(不含税)
¥11,672.25
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年7月06日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1490 | RMB13.773 |
| 1500 + | RMB13.359 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 204-7232P
- 制造商零件编号:
- SIDR220DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | SiDR220DP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.58mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 200nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.25mm | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 SiDR220DP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.58mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 200nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.25mm | ||
宽度 5.15 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay m n 沟道 25 v （ d-s ） mosfet 具有优化的 qg 、 qgd 和 qgd/qgs 比、可减少与切换相关的功率损耗。
经过 100% rg 和 uis 测试
trench场 效应第四代功率 mosfet