Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=46 A, 4针, SO-8, SQJA81EP系列

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包装方式：
RS 库存编号:
204-7240
制造商零件编号:
SQJA81EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

46A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

SO-8

系列

SQJA81EP

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

17.3mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13nC

最大功耗 Pd

68W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

宽度

4.8mm

标准/认证

No

高度

1mm

长度

6.25mm

汽车标准

否

Vishay 汽车 p 通道 80 v （ d-s ） 175 °c mosfet 符合 aec Q101 标准。

经过 100% rg 和 uis 测试

trench场 效应第四代功率 mosfet

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