Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 46 A, SO-8, 表面安装, 4引脚, SQJA81EP-T1_GE3, SQJA81EP系列
- RS 库存编号:
- 204-7240
- 制造商零件编号:
- SQJA81EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB272.60
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | RMB13.63 | RMB272.60 |
| 760 - 1480 | RMB13.221 | RMB264.42 |
| 1500 + | RMB12.826 | RMB256.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 204-7240
- 制造商零件编号:
- SQJA81EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 46A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | SQJA81EP | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 17.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 68W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.25mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 46A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 SQJA81EP | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 17.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 68W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.25mm | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay 汽车 p 通道 80 v （ d-s ） 175 °c mosfet 符合 aec Q101 标准。
经过 100% rg 和 uis 测试
trench场 效应第四代功率 mosfet