Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 25 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB125N60EF-GE3, EF系列
- RS 库存编号:
- 204-7246
- 制造商零件编号:
- SIHB125N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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- 制造商零件编号:
- SIHB125N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | EF | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 125mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 高度 | 4.06mm | |
| 长度 | 14.61mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 EF | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 125mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 9.65mm | ||
高度 4.06mm | ||
长度 14.61mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay EF 系列功率 MOSFET,600 V 漏源电压,25 A 连续漏电流 - SIHB125N60EF-GE3
这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道半导体设备,专为工业电子产品中的开关和功率转换而设计。它适用于需要稳健电压处理和高耐温性能的表面贴装电源组件,支持在自动化和电气系统中切换高电压和大电流的应用。
特性和优点：
• 600V 排放额定值可实现高电压切换能力 • 25 A 连续漏电流支持大负载电流 • 125 mΩ Rds(on) 可减少负载下的传导损耗 • 31nC 典型栅极电荷可最大限度减少驱动能量需求 • 179W 功耗可实现持久的功率处理 • 最高工作温度为150°C,支持高温环境
应用
• 适用于工业驱动器中的高压变频器级别 • 适用于需要高击穿电压的电源 • 与处理数十安培的电机控制器配合使用 • 可用于固态切换中的继电器更换 • 用于自动化设备的电力转换
开关设备的栅极电压范围是多少?
该设备可接受高达 30V 的栅极电压,指定最大允许的栅极对源电位,以实现可靠运行。
封装选择对热性能有何影响?
TO-263封装提供大型导热垫和导热引线,有助于将热量传输到PCB铜和散热器,以支持额定功率耗散。
操作环境限制是什么?
该组件的额定工作温度低至-55°C和高达150°C,为设计余额定义了允许的环境和接点极端。
提供多少引脚,以考虑PCB布局?
该部件使用三个引脚,可确定 PCB 上的排放、源和栅极的尺寸和连接排列。