Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 16 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, EF系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 卷,共 1000 件)*

RMB26,081.00

(不含税)

RMB29,472.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2027年1月11日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
1000 - 4000RMB26.081RMB26,081.00
5000 +RMB25.559RMB25,559.00

* 参考价格

RS 库存编号:
204-7248
制造商零件编号:
SIHF068N60EF-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

16A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-220

系列

EF

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

68mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

51nC

最大功耗 Pd

39W

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

长度

28.6mm

宽度

10mm

高度

4.6mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

Vishay EF 系列功率 MOSFET,600 V 最大漏源电压,16 A 最大连续漏电流 - SIHF068N60EF-GE3


此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,用于工业和电子系统中的电源开关和控制。它针对 TO-220 封装中的通孔安装进行了优化,适用于需要稳健电压处理和栅极驱动灵活性的应用。该设备可在宽温度范围内工作,适用于传统表面贴装部件不实用的设计。

特性和优点:


• 600 V 排放源额定值可实现高电压切换能力 • 68 mΩ Rds(on) 可最大程度地减少负载运行期间的传导损耗 • 16 A 连续漏电流支持中等功率负载 • 51nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关性能 • 39W 最大功耗可管理电路中的热负载 • 30V 栅极容差可与标准栅极驱动器兼容

应用


• 适用于工业转换器的电源侧开关 • 特别适用于高压电机驱动前端 • 用于开关模式电源,可处理高电压 • 可用于大型系统的功率因数校正级别 • 与需要通孔安装的分立电源组件配合使用

该设备在运行过程中可承受哪些极端温度?


它的工作温度范围为-55°C至150°C,可适应冷启动条件和高温环境。

如何进行热管理以实现持续运行?


最大耗散功率为 39 W,建议使用散热器或底盘安装,以在连续负载期间保持接点温度在安全范围内。

为实现可靠的开关,需要考虑哪些栅极驱动因素?


栅极驱动必须在 ±30V 范围内

典型栅极电荷为 51nC,有助于估计所需的驱动电流和开关损耗。

包装是否影响电路板组装选择?


通孔 TO-220 格式便于手动或波峰焊接组装,并为高功率布局提供坚固的机械连接。