Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=137 A, 8针, SO-8, SiDR680ADP系列
- RS 库存编号:
- 204-7258P
- 制造商零件编号:
- SIDR680ADP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 204-7258P
- 制造商零件编号:
- SIDR680ADP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 137A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | SiDR680ADP | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.88mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 55nC | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4.9mm | |
| 高度 | 0.51mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 137A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 SiDR680ADP | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.88mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 55nC | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4.9mm | ||
高度 0.51mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay n 沟道 80 v （ d-s ） mosfet 具有超低 rds - qg 品质因数（ fom ）、且调谐至最低 rds - qoss fom 。
经过 100% rg 和 uis 测试
trench场 效应第四代功率 mosfet