Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 101 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiSF06DN系列, SISF06DN-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 204-7260
- 制造商零件编号:
- SISF06DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 204-7260
- 制造商零件编号:
- SISF06DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 101A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | SiSF06DN | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0045Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30nC | |
| 最大功耗 Pd | 69.4W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 高度 | 0.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 101A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 SiSF06DN | ||
包装类型 PowerPAK 1212 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0045Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC | ||
最大功耗 Pd 69.4W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
高度 0.73mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.3mm | ||
宽度 3.3 mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay common drain dual n 沟道 30 v （ S1 - S2 ） mosfet 是一款集成式共漏 n 沟道 mosfet 、采用紧凑型热增强型封装。
极低的源到源接通电阻
trench场 效应第四代功率 mosfet