Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 19.1 A, powerpir 3 x 3S, 表面安装, 8引脚, SiZ270DT系列, SIZ270DT-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 204-7264
- 制造商零件编号:
- SIZ270DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
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- 制造商零件编号:
- SIZ270DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 19.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | SiZ270DT | |
| 包装类型 | powerpir 3 x 3S | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0377Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| 最大功耗 Pd | 33W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 19.1A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 SiZ270DT | ||
包装类型 powerpir 3 x 3S | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0377Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13.3nC | ||
最大功耗 Pd 33W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 3.3 mm | ||
长度 3.3mm | ||
高度 0.75mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay dual n 沟道 100 v （ d-s ） mosfet 是一款集成式 mosfet 半桥式功率级、且具有优化的 qgs/qgs 比、可改善开关特性。
经过 100% rg 和 uis 测试
trench场 效应第四代功率 mosfet