STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 5.5 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, STN6N60M2系列
- RS 库存编号:
- 204-9958
- 制造商零件编号:
- STN6N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 204-9958
- 制造商零件编号:
- STN6N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 系列 | STN6N60M2 | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.25Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6nC | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 6W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.48 mm | |
| 长度 | 6.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.5A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
系列 STN6N60M2 | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.25Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6nC | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大功耗 Pd 6W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.8mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.48 mm | ||
长度 6.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 、 m筛 网 M2 技术开发的 n 沟道功率 mosfet 。得益于其条状布局和改进的垂直结构、该设备具有低接通电阻和优化的切换特性、使其适用于要求最严苛的高效率转换器。
极低栅极电荷
极佳的输出电容（ cos ）轮廓
通过 100% 雪崩测试
提供齐纳保护