STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 5.5 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, STN6N60M2系列
- RS 库存编号:
- 204-9959
- 制造商零件编号:
- STN6N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 包，共 25 件）*
¥107.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 + | RMB4.30 | RMB107.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 204-9959
- 制造商零件编号:
- STN6N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5.5 A | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 系列 | STN6N60M2 | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 1.25 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5.5 A | ||
最大漏源电压 25 V | ||
系列 STN6N60M2 | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 1.25 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 、 m筛 网 M2 技术开发的 n 沟道功率 mosfet 。得益于其条状布局和改进的垂直结构、该设备具有低接通电阻和优化的切换特性、使其适用于要求最严苛的高效率转换器。
极低栅极电荷
极佳的输出电容（ cos ）轮廓
通过 100% 雪崩测试
提供齐纳保护
极佳的输出电容（ cos ）轮廓
通过 100% 雪崩测试
提供齐纳保护