onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 35 A, 表面安装, 8引脚, NTMFS011N15MC, PowerTrench系列
- RS 库存编号:
- 205-2426
- 制造商零件编号:
- NTMFS011N15MC
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商零件编号:
- NTMFS011N15MC
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 35A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 35A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
ON Semi Power Trench 系列 150V N 沟道 MV MOSFET 采用先进工艺制造， 融合了屏蔽栅技术。该工艺经过优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，并具备业界领先的软体二极管特性。
在栅源电压为 10V、漏极电流为 35A 时，最大导通电阻为 11.5mΩ
低导通损耗
在栅源电压为 8V、漏极电流为 18A 时，最大导通电阻为 13.2mΩ
反向恢复电荷较其他 MOSFET 供应商降低 50%
降低开关噪声/电磁干扰
MSL1 稳健封装设计
通过 100% UIL 测试