onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 35 A, PQFN 5 x 6, 贴片安装, 8引脚, PowerTrench系列
- RS 库存编号:
- 205-2426
- 制造商零件编号:
- NTMFS011N15MC
- 制造商:
- onsemi
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- NTMFS011N15MC
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 封装类型 | PQFN 5 x 6 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 13.2 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 35 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
封装类型 PQFN 5 x 6 | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 13.2 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
on ON Semiconductor 系列 150V n 通道 mv mosfet 采用 Advanced 工艺生产、并采用屏蔽栅极技术。此过程已经过优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用同类最佳的软主体二极管保持优异的切换性能。
vgs 时最大 rds （接通） = 11.5 m m m m m 、 10V id 为 35A
低传导损耗
vgs 时最大 rds （接通）为 13.2mohm 、 id 为 18A 8V
qrr 比其他 mosfet 供应商低 50%
降低切换噪声 /emi
MSL1 坚固封装设计
100% uil 测试
低传导损耗
vgs 时最大 rds （接通）为 13.2mohm 、 id 为 18A 8V
qrr 比其他 mosfet 供应商低 50%
降低切换噪声 /emi
MSL1 坚固封装设计
100% uil 测试