onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 150 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, Power系列
- RS 库存编号:
- 205-2432P
- 制造商零件编号:
- NTTFS1D8N02P1E
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1490 | RMB11.587 |
| 1500 + | RMB11.238 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 205-2432P
- 制造商零件编号:
- NTTFS1D8N02P1E
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 150A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 系列 | Power | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 46W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.7mm | |
| 宽度 | 3.2 mm | |
| 长度 | 3.2mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 150A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
系列 Power | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 46W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.7mm | ||
宽度 3.2 mm | ||
长度 3.2mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor Power33 系列 25V n 沟道 mosfet 采用 Advanced process此过程已经过优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用同类最佳的软主体二极管保持优异的切换性能。
最大漏极电流额定值为 150A
漏极到源电阻额定值为 1.3 m 欧姆
体积小、设计紧凑
低 rds （接通）可最大程度减少传导损耗
低 qg 和电容、可最大程度减少驱动器损耗
100% uil 测试
封装为电源 33 （ PQFN8 ）