onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 187 A, MO-299a., 表面安装, 8引脚, NBTLS系列

可享批量折扣

小计 500 件 (以卷装提供)*

¥13,150.00

(不含税)

¥14,860.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有限的库存
  • 另外 1,980 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
500 - 998RMB26.30
1000 +RMB25.505

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
205-2452P
制造商零件编号:
NTBLS4D0N15MC
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

187A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

MO-299a.

系列

NBTLS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

4.4mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

316W

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

90.4nC

最高工作温度

150°C

长度

11.58mm

高度

2.2mm

宽度

9.2 mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

on ON Semiconductor 单 n 通道 mosfet 的漏极到源电压额定值为 150V 、连续漏极电流额定值为 187A 。此设备无铅、无卤素 / 无 bfr 且符合 rohs 标准。

漏极到电源接通电阻为 4.4 m 欧姆

低 rds (接通)可最大程度减少传导损耗

低 qg 和电容、可最大程度减少驱动器损耗

降低切换噪声/EMI