onsemi N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 24 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, FCB125N65S3, SUPERFET III系列
- RS 库存编号:
- 205-2470
- 制造商零件编号:
- FCB125N65S3
- 制造商:
- onsemi
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 205-2470
- 制造商零件编号:
- FCB125N65S3
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 24A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | SUPERFET III | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 125mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 最大功耗 Pd | 181W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 14.6mm | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 宽度 | 9.6 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
最大连续漏极电流 Id 24A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 SUPERFET III | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 125mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
最大功耗 Pd 181W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 14.6mm | ||
高度 4.6mm | ||
宽度 9.6 mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor iii 系列 n 沟道 mosfet 是高电压超结（ sj ） mosfet 系列、利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。此先进 Advanced 技术可最大限度地减少传导损耗、提供卓越的切换性能和耐受极端 dv/dt 速率。
连续漏极电流额定值为 24A
漏极到电源接通电阻额定值为 125mohm
超低栅极电荷
输出电容中存储的能量低
通过 100% 雪崩测试
封装类型为 D2 - pak