onsemi N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=100 V, 60 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, NTBS9D0N10MC, NTB系列
- RS 库存编号:
- 205-2496P
- 制造商零件编号:
- NTBS9D0N10MC
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 205-2496P
- 制造商零件编号:
- NTBS9D0N10MC
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | NTB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 68W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 宽度 | 9.6 mm | |
| 长度 | 14.6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 NTB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 68W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 4.6mm | ||
宽度 9.6 mm | ||
长度 14.6mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor 单 n 沟道 100V mosfet 采用全新技术、与硅相比、可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外、低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。因此、系统优势包括最高效率、 Faster 操作频率、增加功率密度、降低 emi 和减小系统尺寸。
连续漏极电流额定值为 60A
漏极到源接通电阻额定值为 9.0mohm
低 rds （接通）可最大程度减少传导损耗
优化的切换性能
低 qg 和电容、可最大程度减少驱动器损耗
业界最低的 qrr 和最软的主体二极管，可提供卓越的低噪声性能 切换
降低切换噪声/EMI
高效、开关尖峰和 emi 更低
封装类型为 D2PAK3