onsemi N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管, Vds=100 V, 60 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 3引脚, NTB系列
- RS 库存编号:
- 205-2496P
- 制造商零件编号:
- NTBS9D0N10MC
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 390 | RMB10.53 |
| 400 + | RMB10.214 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 205-2496P
- 制造商零件编号:
- NTBS9D0N10MC
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 60 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） | |
| 系列 | NTB | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 9 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 60 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 D2PAK （TO-263） | ||
系列 NTB | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 9 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
on ON Semiconductor 单 n 沟道 100V mosfet 采用全新技术、与硅相比、可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外、低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。因此、系统优势包括最高效率、 Faster 操作频率、增加功率密度、降低 emi 和减小系统尺寸。
连续漏极电流额定值为 60A
漏极到源接通电阻额定值为 9.0mohm
低 rds （接通）可最大程度减少传导损耗
优化的切换性能
低 qg 和电容、可最大程度减少驱动器损耗
业界最低的 qrr 和最软的主体二极管，可提供卓越的低噪声性能 切换
降低切换噪声/EMI
高效、开关尖峰和 emi 更低
封装类型为 D2PAK3
漏极到源接通电阻额定值为 9.0mohm
低 rds （接通）可最大程度减少传导损耗
优化的切换性能
低 qg 和电容、可最大程度减少驱动器损耗
业界最低的 qrr 和最软的主体二极管，可提供卓越的低噪声性能 切换
降低切换噪声/EMI
高效、开关尖峰和 emi 更低
封装类型为 D2PAK3