onsemi N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=800 V, 13 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SUPERFET III系列
- RS 库存编号:
- 205-2497
- 制造商零件编号:
- NTD360N80S3Z
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2500 件）*
¥29,427.50
(不含税)
¥33,252.50
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 2,500 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB11.771 | RMB29,427.50 |
| 5000 - 22500 | RMB11.536 | RMB28,840.00 |
| 25000 + | RMB11.305 | RMB28,262.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 205-2497
- 制造商零件编号:
- NTD360N80S3Z
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | SUPERFET III | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 360mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25.3nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 96W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 9.35mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.55 mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 SUPERFET III | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 360mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25.3nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 96W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 9.35mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.55 mm | ||
高度 2.39mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor iii 系列 n 沟道 800V mosfet 针对回飞转换器的主开关进行了优化、凭借优化的设计、可在不影响 emi 性能的情况下降低开关损耗和外壳温度。此外、内部齐纳二极管显著提高了 esd 能力。由于其在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、 atx 电源和工业电源）中的出色性能、此新系列使应用变得更加高效、紧凑、冷却和坚固。
连续漏极电流额定值为 13A
漏极到电源接通电阻额定值为 360mohm
超低栅极电荷
输出电容中存储的能量低
通过 100% 雪崩测试
封装类型为 d-pak