onsemi N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管, Vds=800 V, 13 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SUPERFET III系列
- RS 库存编号:
- 205-2504P
- 制造商零件编号:
- NTP360N80S3Z
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 395 | RMB29.28 |
| 400 + | RMB28.404 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 205-2504P
- 制造商零件编号:
- NTP360N80S3Z
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 13 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 系列 | SUPERFET III | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 360 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.8V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 13 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
系列 SUPERFET III | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 360 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.8V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
on ON Semiconductor iii 系列 n 沟道 800V mosfet 针对回飞转换器的主开关进行了优化、凭借优化的设计、可在不影响 emi 性能的情况下降低开关损耗和外壳温度。此外、内部齐纳二极管显著提高了 esd 能力。由于其在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、 atx 电源和工业电源）中的出色性能、此新系列使应用变得更加高效、紧凑、冷却和坚固。
连续漏极电流额定值为 13A
漏极到电源接通电阻额定值为 360mohm
超低栅极电荷
输出电容中存储的能量低
通过 100% 雪崩测试
封装类型为 to － 220
漏极到电源接通电阻额定值为 360mohm
超低栅极电荷
输出电容中存储的能量低
通过 100% 雪崩测试
封装类型为 to － 220