DiodesZetex , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 800 mA, US, 表面安装, 6引脚, DMN3401系列, DMN3401LDW-7
- RS 库存编号:
- 206-0084
- 制造商零件编号:
- DMN3401LDW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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- 制造商零件编号:
- DMN3401LDW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 800mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | US | |
| 系列 | DMN3401 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 700mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 0.35W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 宽度 | 1.3 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 2.15mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 800mA | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 US | ||
系列 DMN3401 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 700mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 0.35W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
高度 0.95mm | ||
宽度 1.3 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 2.15mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 30V 双 n 通道增强模式 mosfet 设计用于最大程度降低通态电阻、同时保持卓越的切换性能、使其特别适用于高效电源管理应用。其栅 - 源电压为 20 v 、热功耗为 0.29 w 。
低接通电阻
低输入电容