DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=98 A, 8针, PowerDI5060, DMT6006系列
- RS 库存编号:
- 206-0150P
- 制造商零件编号:
- DMT6006SPS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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- 制造商零件编号:
- DMT6006SPS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 98A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerDI5060 | |
| 系列 | DMT6006 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27.9nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 2.45W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 900μm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.15mm | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 98A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerDI5060 | ||
系列 DMT6006 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27.9nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 2.45W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 900μm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.15mm | ||
长度 6.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 60V 、 8 引脚 n 通道增强模式 mosfet 设计用于最大程度降低通态电阻、同时保持卓越的切换性能、使其特别适用于高效电源管理应用。其栅 - 源电压为 20V 、热功耗为 2.45 w 。
低 rds （接通） - 确保通态损耗最小化