DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 20.1 kA, PowerDI5060, 表面安装, 8引脚, DMTH10H4M5LPS-13, DMTH10系列
- RS 库存编号:
- 206-0159
- 制造商零件编号:
- DMTH10H4M5LPS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥99.16
(不含税)
¥112.05
(含税)
有库存
- 4,965 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | RMB19.832 | RMB99.16 |
| 625 - 1245 | RMB19.238 | RMB96.19 |
| 1250 + | RMB18.66 | RMB93.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 206-0159
- 制造商零件编号:
- DMTH10H4M5LPS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20.1kA | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PowerDI5060 | |
| 系列 | DMTH10 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 2.7W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 20.1kA | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PowerDI5060 | ||
系列 DMTH10 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 2.7W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.9mm | ||
宽度 5.15 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 100V 、 8 引脚 n 通道增强模式 mosfet 设计用于最大程度降低通态电阻、同时保持卓越的切换性能、该设备特别适用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。其栅 - 源电压为 20V 、热功耗为 2.7 w 。
低接通电阻
快速切换速度