STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 36 A, TO-LL, 通孔安装, 8引脚, STP50N60DM6系列
- RS 库存编号:
- 206-8634P
- 制造商零件编号:
- STP50N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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- RS 库存编号:
- 206-8634P
- 制造商零件编号:
- STP50N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 36A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | STP50N60DM6 | |
| 包装类型 | TO-LL | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 80mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 55nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 10 mm | |
| 长度 | 28.9mm | |
| 高度 | 4.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 36A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 STP50N60DM6 | ||
包装类型 TO-LL | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 80mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 55nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 10 mm | ||
长度 28.9mm | ||
高度 4.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 高电压 n 沟道功率 mosfet 是 mmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与之前的 mdmesh 快速生成相比、 DM6 将极低的恢复电荷（ qrr ）、恢复时间（ trr ）和每个区域的 rds （接通）的极佳改进结合起来、具有市场上最有效的切换行为之一、可用于最严苛的高效桥接拓扑和 zvs 相移转换器。
快速恢复体二极管
与上一代相比、每区域的 rds （接通）更低
低栅极电荷、输入电容和电阻
通过 100% 雪崩测试
dv/dt 稳定极高
提供齐纳保护