Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, TO-247, 通孔安装, 4引脚, TK090Z65Z系列

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206-9728
制造商零件编号:
TK090Z65Z,S1F(O
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

TK090Z65Z

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

90mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.7V

最大功耗 Pd

45W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

47nC

最大栅源电压 Vgs

30 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

5mm

宽度

15.94 mm

长度

40.96mm

标准/认证

No

汽车标准

Toshiba 硅 n 通道 mosfet 具有高速切换特性和较低的电容。它主要用于开关电源。

低漏 - 源导通电阻 0.075 ?

存储温度 -55 至 150°c