Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, DFN, 表面安装, 5引脚, TK099V65Z系列
- RS 库存编号:
- 206-9730P
- 制造商零件编号:
- TK099V65Z,LQ(S
- 制造商:
- Toshiba
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 206-9730P
- 制造商零件编号:
- TK099V65Z,LQ(S
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | TK099V65Z | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 90mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 230W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | -1.7V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 47nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 8mm | |
| 宽度 | 8 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 TK099V65Z | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 90mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 230W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf -1.7V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 47nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.5mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 8mm | ||
宽度 8 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Toshiba 硅 n 通道 mosfet 具有高速切换特性和较低的电容。它主要用于开关电源。
低漏 - 源导通电阻 0.08 ？
存储温度 -55 至 150°c