Toshiba N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=82 A, 8针, SOP, TPH3R704PC系列
- RS 库存编号:
- 206-9793P
- 制造商零件编号:
- TPH3R704PC,LQ(S
- 制造商:
- Toshiba
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- RS 库存编号:
- 206-9793P
- 制造商零件编号:
- TPH3R704PC,LQ(S
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 82A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | TPH3R704PC | |
| 包装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.8Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 82A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 TPH3R704PC | ||
包装类型 SOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.8Ω | ||
通道模式 增强 | ||
Toshiba N 沟道 MOSFET 具备高速开关特性。主要应用于高效率 DC-DC 转换器、开关稳压器及电机驱动器。
漏源导通电阻低至 2.9mΩ
存储温度 -55 至 175°C