Texas Instruments N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=100 A, 8针, VSONP, NexFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
208-8485
制造商零件编号:
CSD19531Q5A
制造商:
Texas Instruments
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品牌

Texas Instruments

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

VSONP

系列

NexFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

6.4mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

125W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

37nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1V

最低工作温度

-50°C

最高工作温度

150°C

高度

900μm

宽度

4.8mm

标准/认证

No

长度

5.9mm

汽车标准

否

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