Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 100 A, vsonp, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
- RS 库存编号:
- 208-8485
- 制造商零件编号:
- CSD19531Q5A
- 制造商:
- Texas Instruments
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 208-8485
- 制造商零件编号:
- CSD19531Q5A
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | vsonp | |
| 系列 | NexFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 6.4e+006 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.7V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 100 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 vsonp | ||
系列 NexFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 6.4e+006 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.7V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
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