Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 204 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SiDR626LDP系列
- RS 库存编号:
- 210-4956
- 制造商零件编号:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 210-4956
- 制造商零件编号:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 204A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SiDR626LDP | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 5.9mm | |
| 宽度 | 4.9 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.51mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 204A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SiDR626LDP | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 5.9mm | ||
宽度 4.9 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.51mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay n 沟道 60 v （ d-s ） mosfet 采用 powerpak so-250v 8DC 封装类型。
TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
极低 RDS - Qg 品质因数 (FOM)
调谐到最低 RDS - Qoss FOM
经过 100% rg 和 uis 测试
顶部冷却功能为热传递提供了额外的场所