Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 8.4 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, EF系列

RS 库存编号:: 210-4962
制造商零件编号:: SiHA186N60EF-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 8.4 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, EF系列

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RS 库存编号:: 210-4962
制造商零件编号:: SiHA186N60EF-GE3
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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	8.4A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	EF
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	168mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	21nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大功耗 Pd	33W
	最高工作温度	150°C
	长度	28.1mm
	高度	4.3mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	9.7mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 8.4A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 EF
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 168mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大功耗 Pd 33W
	最高工作温度 150°C
	长度 28.1mm
	高度 4.3mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 9.7mm
	汽车标准否

Datasheet - SiHA186N60EF-GE3

Vishay EF 系列功率 MOSFET,600 V 漏源电压,8.4 A 最大连续漏电流 - SiHA186N60EF-GE3

此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为工业电源控制和转换而设计。它可用作通孔组件中的增强模式晶体管,适用于需要在宽温度范围内持续运行的应用。

特性和优点：

• 600V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 8.4 A 连续漏电流支持中等负载电流 • 168 mΩ Rds(on) 可减少负载下的传导损耗 • 21 nC 典型栅极电荷可最大限度减少驱动能量需求 • 33W 功耗,可实现稳定状态热处理 • 150°C的最高工作温度可承受恶劣的热条件

应用

• 适用于高电压开关模式电源 • 适用于工业电机驱动门级 • 用于电源频率逆变器输出级 • 可用于功率因数校正电路 • 与需要通孔安装的分立电源组件配合使用

开关控制的栅极电压范围是多少?

该设备可在门和源之间接受高达 30 V 的电压,因此驱动器级别应在此范围内限制,以避免门过度应力。

封装选择对安装和热管理有何影响?

TO-220通孔封装便于螺栓式散热器和简单的PCB安装,实现有效的热耦合。

它能承受哪些极端环境温度?

它的工作温度范围为-55°C至150°C,可在宽散热环境中使用。

设计连续电流时应考虑哪些因素?

通过指定足够的散热器和热路径来保持安全的接点温度,计算8.4 A连续排放电流和33 W消散电流。

栅极电荷如何影响驱动器选择?

典型栅极电荷为 21 nC,有助于确定驱动电流和开关速度要求,以实现所需的上升和下降时间。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 8.4 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, EF系列

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