Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=800 V, 13 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB15N80AE-GE3, E系列
- RS 库存编号:
- 210-4970P
- 制造商零件编号:
- SIHB15N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | E | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 304mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 156W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.06mm | |
| 长度 | 14.61mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 E | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 304mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 156W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.06mm | ||
长度 14.61mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 9.65mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET,800 V 漏源电压,13 A 连续漏电流 - SIHB15N80AE-GE3
此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,专为工业电子产品中的电源开关而设计。它专为表面贴装组装而设计,采用TO-263封装,可在宽热范围内工作,适用于需要稳健电压处理和紧凑安装的严苛应用。
特性和优点：
• 800V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 13 A 连续漏电流支持大负载电流 • 304 mΩ Rds(on)可减少运行过程中的传导损耗 • 35 nC 典型栅极电荷,可实现高效的开关控制 • 30 V 最大栅极驱动器可适应常见的栅极驱动电压 • 156W 功耗可改善负载下的热处理
应用
• 适用于自动化系统的高压电机驱动级 • 特别适用于需要紧凑型表面贴装开关的电源 • 用于工业逆变器和转换器开关任务 • 可用于高电压保护和夹紧电路
它的工作温度范围是多少?
它的工作温度范围为-55°C,最高接点温度为150°C,适用于高温环境。
它使用哪种封装和安装方法?
它采用TO-263封装,用于在板上进行表面贴装安装。
设计人员应遵守哪些栅极驱动限制?
该设备不得超过 30 V 的门到源电压,以避免门应力。
其功耗对热设计有何影响?
156W 额定值引导散热器和 PCB 铜分配,以保持接点温度在限制范围内。
提供哪种插针配置?
该组件提供与标准功率 MOSFET 布局兼容的三针布局。