Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=800 V, 15 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB17N80AE-GE3, E系列

RS 库存编号:: 210-4971
制造商零件编号:: SIHB17N80AE-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=800 V, 15 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB17N80AE-GE3, E系列

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制造商零件编号:: SIHB17N80AE-GE3
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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	15A
	最大漏源电压 Vd	800V
	包装类型	TO-263
	系列	E
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	250mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	41nC
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最大功耗 Pd	179W
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	宽度	9.65mm
	标准/认证	RoHS
	长度	14.61mm
	高度	4.06mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 15A
	最大漏源电压 Vd 800V
	包装类型 TO-263
	系列 E
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 250mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最大功耗 Pd 179W
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	宽度 9.65mm
	标准/认证 RoHS
	长度 14.61mm
	高度 4.06mm
	汽车标准否

Datasheet - SIHB17N80AE-GE3

Vishay E 系列功率 MOSFET,800 V 漏源电压,15 A 连续漏电流 - SIHB17N80AE-GE3

此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道设备,设计用于工业和电子系统中的开关和功率转换功能。它可用作增强模式晶体管,并采用 TO-263 表面贴装封装,适用于填充电路板。该组件专为需要高漏源电压处理和紧凑型热管理的应用而设计。

特性和优点：

• 800 V 漏源额定值可实现高电压切换
• 15 A 连续漏电流支持大负载电流
• 250 mΩ Rds(on) 可减少负载下的传导损耗
• 179W 功耗容量有助于热稳定性
• 41 nC 典型栅极电荷确保更快的开关转换
• 30 V Vgs 限值可保护栅极免受过电压影响

应用

• 适用于高电压SMPS初级侧开关
• 适用于工业电机驱动级切换
• 用于功率因数校正前端转换器
• 可用于变频器和UPS高压部分

其能在什么温度范围内运行？

它可在 -55°C 至 150°C 的极端环境温度下工作,适用于高温环境。

它对 PCB 提供多少电气连接?

该设备提供三个符合常见 MOSFET 拓扑结构的电气引脚,用于漏极、栅极和源极连接。

哪些包装因素会影响散热?

TO-263 表面贴装封装提供到 PCB 的薄型热路径,旨在连接到合适尺寸的铜接地,以实现热传播。

它是否适用于汽车认证设计?

它未指定为符合汽车标准,应对车辆应用进行相应评估。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=800 V, 15 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB17N80AE-GE3, E系列

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