Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=8.4 A, 3针, TO-263, EF系列

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RS 库存编号:
210-4973
制造商零件编号:
SiHB186N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

8.4A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-263

系列

EF

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

168mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

21nC

最大栅源电压 Vgs

30V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

156W

最高工作温度

150°C

宽度

9.65mm

标准/认证

No

长度

14.61mm

高度

4.06mm

汽车标准

否

Vishay f 系列快速主体二极管的功率 mosfet 采用 D2PAK （图 263 ）封装类型。

4th e 系列技术

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容（ co （ er ））

减少切换和传导损耗

雪崩能量等级（ uis ）

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