Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 17.4 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, E系列
- RS 库存编号:
- 210-4976
- 制造商零件编号:
- SIHB21N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB14.784 | RMB739.20 |
| 100 - 450 | RMB14.488 | RMB724.40 |
| 500 + | RMB14.199 | RMB709.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 210-4976
- 制造商零件编号:
- SIHB21N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 17.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 205mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.06mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 长度 | 14.61mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 17.4A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 E | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 205mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 48nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.06mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.65 mm | ||
长度 14.61mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay e 系列功率 mosfet 采用 D2PAK （图 263 ）封装类型、带 17.4 a 漏极电流。
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低有效电容（ co （ er ））
减少切换和传导损耗
雪崩能量等级（ uis ）