Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=800 V, 8 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, E系列
- RS 库存编号:
- 210-4978
- 制造商零件编号:
- SIHD11N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB21,084.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB7.028 | RMB21,084.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 210-4978
- 制造商零件编号:
- SIHD11N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | E | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 391mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最大功耗 Pd | 78W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 9.4mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 6.4mm | |
| 高度 | 2.2mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 E | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 391mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最大功耗 Pd 78W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 9.4mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 6.4mm | ||
高度 2.2mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET,800 V 漏源电压,8 A 连续漏电流 - SIHD11N80AE-GE3
此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强模式晶体管,专为工业电子系统中的开关和功率转换而设计。它采用表面贴装 TO-252 封装,设计用于在宽温度范围内工作,适用于严苛环境。关键电气限制和热处理允许在需要高电压容差和中等连续电流能力的电路中使用。
特性和优点：
• 800V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 8A 连续漏电流支持稳定状态负载处理 • 391 mΩ Rds(on) 可减少传导损耗,从而提高效率 • 28nC 典型栅极电荷可最大限度减少开关能耗 • 78W 功耗能力有助于组件中的热保险
应用
• 适用于工业设备SMPS中的初级侧开关 • 适用于电源中的高电压直流-直流转换阶段 • 用于工业电机驱动器中的逆变器前端切换 • 可用于高压系统中的缓冲电路或夹紧电路
为实现可靠的开关,需要考虑哪些栅极驱动因素?
该设备可耐受高达 30 V 的栅极电压,因此栅极驱动器应提供适当的 Vgs 水平,同时限制瞬态,以防止过度应力。
温度对允许的运行有何影响?
该组件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C
设计人员应考虑在高温条件下降低电流和热阻。
它在 PCB 设计中使用哪种封装和安装方式?
它采用TO-252表面贴装封装,带三个引脚,允许焊接连接到板铜,并使用PCB热接地模式以散热。
应预期哪些开关性能妥协?
其28nC的中等栅极电荷平衡开关速度和驱动能量,而相对较高的Rds(on)意味着与低电阻设备相比,传导损耗更高,这应考虑在效率预算中。