Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 8 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SIHD11N80AE-GE3, E系列
- RS 库存编号:
- 210-4979
- 制造商零件编号:
- SIHD11N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥41.57
(不含税)
¥46.975
(含税)
有库存
- 另外 2,980 件在 2025年12月11日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | RMB8.314 | RMB41.57 |
| 750 - 1495 | RMB8.064 | RMB40.32 |
| 1500 + | RMB7.822 | RMB39.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 210-4979
- 制造商零件编号:
- SIHD11N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | E | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 391mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 78W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 6.4 mm | |
| 高度 | 2.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 9.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 E | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 391mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 78W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 6.4 mm | ||
高度 2.2mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 9.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay e 系列功率 mosfet 采用 dak （ o252 ）封装类型、采用单配置。
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低有效电容（吻）
减少切换和传导损耗
超低栅极电荷 (Qg)
雪崩能量等级（ uis ）
集成齐纳二极管 esd 保护