Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=800 V, Id=8 A, 3针, TO-252, E系列
- RS 库存编号:
- 210-4979P
- 制造商零件编号:
- SIHD11N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 391mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 78W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 9.4mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 2.2mm | |
| 宽度 | 6.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 E | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 391mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 78W | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 9.4mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 2.2mm | ||
宽度 6.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay 系列 E 功率 MOSFET，800V 漏源电压，78W 功耗 - SIHD11N80AE-GE3
该功率 MOSFET 是一款高压 N 通道开关晶体管，专为表面安装功率转换和开关应用而设计。它可在非常宽的温度范围内运行，专为需要高漏源电压处理和中等电流能力的苛刻环境而设计，同时符合 RoHS 限制要求。
特性和优点：
• 800V 漏源额定值支持高压拓扑
• 8A 连续漏极电流，支持中等功率电路
• 391mΩ导通电阻可降低额定电流下的导通损耗
• 78W最大功耗，可处理大量热量
• 28nC 典型栅极电荷提供可预测的开关能量
• 30V 栅极阈值可适应标准栅极驱动电压
• 8A 连续漏极电流，支持中等功率电路
• 391mΩ导通电阻可降低额定电流下的导通损耗
• 78W最大功耗，可处理大量热量
• 28nC 典型栅极电荷提供可预测的开关能量
• 30V 栅极阈值可适应标准栅极驱动电压
应用
• 适用于高压开关模式电源
• 非常适用于半桥和升压转换器级
• 与工业电机驱动前端配合使用
• 可用于离线充电器和照明控制
• 适用于电信和配电模块
• 非常适用于半桥和升压转换器级
• 与工业电机驱动前端配合使用
• 可用于离线充电器和照明控制
• 适用于电信和配电模块
它采用哪种封装和安装方式？
它采用 TO-252 封装，适用于表面安装组件，便于与 PCB 铜进行热耦合。
它在运行过程中能够承受的温度范围是多少？
其额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在恶劣温度条件下运行。
正向电压对功耗计算有何影响？
在估计二极管传导间隔和同步排列中的传导和开关损耗时，应考虑 1.2V 的正向电压。
必须注意哪些栅极驱动限制？
最大栅源电压为 30V，因此栅极驱动和保护必须防止超过此值的偏移。