Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 13 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SIHG15N80AE-GE3, E系列

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210-4984P
制造商零件编号:
SIHG15N80AE-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

E

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

304mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

35nC

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

156W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

长度

28.6mm

标准/认证

No

宽度

15.5 mm

高度

4.6mm

汽车标准

Vishay e 系列功率 mosfet 采用 247AC 封装类型、漏极电流为 13 a 。

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容( co ( er ))

减少切换和传导损耗

雪崩能量等级( uis )

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