Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=800 V, 15 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SIHG17N80AE-GE3, E系列

RS 库存编号:: 210-4986
制造商零件编号:: SIHG17N80AE-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=800 V, 15 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SIHG17N80AE-GE3, E系列

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	15A
	最大漏源电压 Vd	800V
	包装类型	TO-247AC
	系列	E
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	250mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	179W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	41nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最高工作温度	150°C
	高度	4.83mm
	长度	35.3mm
	宽度	15.66mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 15A
	最大漏源电压 Vd 800V
	包装类型 TO-247AC
	系列 E
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 250mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 179W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最高工作温度 150°C
	高度 4.83mm
	长度 35.3mm
	宽度 15.66mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHG17N80AE-GE3

Vishay E 系列功率 MOSFET,800 V 最大漏源电压,15 A 最大连续漏电流 - SIHG17N80AE-GE3

这款功率 MOSFET 是一款高电压开关晶体管,专为工业电力电子产品中的通孔安装而设计。它可用作 N 通道增强装置,适用于需要大电压间隙和中等连续电流的应用,为开关和电源转换功能提供稳健的半导体解决方案。

特性和优点：

• 800 V 最大漏源电压可实现高电压切换
• 15 A 连续漏电流支持持续负载负载
• 250 mΩ 最大 Rds(on) 可减少传导损耗
• 179W 功耗可实现显著的热处理
• 41nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为
• 30 V 栅极-源极限允许标准栅极驱动电压

应用

• 适用于高电压开关模式电源
• 适用于工业变频器级和电机驱动前端
• 用于电源设备的功率因数校正电路
• 可用于隔离高压转换器
• 适用于需要通孔组件的实验室测试架

用于原型设计和散热的封装类型是什么?

该设备采用 TO-247AC 通孔封装,便于稳固安装和连接标准散热器以进行热管理。

运行期间可预期的接点温度范围是多少?

该组件的额定工作温度高达 150°C,存储和低温运行的最低指定限制为 -55°C。

其栅极电荷规格对开关设计有何影响?

在额定栅极驱动时,典型栅极电荷为 41 nC,允许设计人员估计栅极驱动能量并选择合适的驱动器以平衡开关速度和电磁干扰。

电路布局适用哪些安装和引脚数因素?

该部件采用三针通孔格式,可在传统电源布局中牢固固定板并直接连接。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=800 V, 15 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SIHG17N80AE-GE3, E系列

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