Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 12 A, PowerPAK 8 x 8, 表面安装, 4引脚, SIHH240N60E-T1-GE3, E系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 5 件)*

¥94.73

(不含税)

¥107.045

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
库存信息目前无法查询
单位
每单位
每包*
5 - 745RMB18.946RMB94.73
750 - 1495RMB18.378RMB91.89
1500 +RMB17.826RMB89.13

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
210-4990
制造商零件编号:
SIHH240N60E-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

E

包装类型

PowerPAK 8 x 8

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

208mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

89W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

30 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

7.9mm

高度

0.9mm

宽度

7.9 mm

汽车标准

Vishay e 系列功率 mosfet 具有 powerpak 8 x 8 封装类型、采用单配置。

4th e 系列技术

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容( co ( er ))

减少切换和传导损耗

雪崩能量等级( uis )