Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=800 V, 13 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP15N80AE-GE3, E系列
- RS 库存编号:
- 210-4992P
- 制造商零件编号:
- SIHP15N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 304mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 53nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 156W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 4.24mm | |
| 长度 | 27.69mm | |
| 宽度 | 9.96mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 E | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 304mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 53nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 156W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 4.24mm | ||
长度 27.69mm | ||
宽度 9.96mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET,800 V 最大漏源电压,13 A 最大连续漏电流 - SIHP15N80AE-GE3
此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,设计用于工业和电子系统中的开关和功率转换功能。它专为通孔安装而设计,采用TO-220AB封装,支持严苛的热电环境,在电压容差和电流处理之间实现平衡,适用于控制器、转换器和电源级。
特性和优点：
• 800 V 漏源电压可实现高电压开关应用 • 13 A 连续漏电流支持中等负载电流 • 304 mΩ 导通电阻可最大限度减少传导损耗 • 156W 功耗允许大量热输出 • 53nC 典型栅极电荷,可控制开关动态 • 30 V 栅极-源极限确保稳健的栅极驱动空间
应用
• 适用于高电压电源和转换器 • 特别适用于工业电机驱动前端 • 用于开关模式电源主开关 • 可用于功率因数校正级别 • 与中等功率逆变器设计中的栅极驱动器配合使用
其能在什么温度范围内运行？
它可在-55°C至150°C的温度范围内工作,可在宽环境温度范围和较高工作温度范围内使用。
组装时需要哪种安装方式?
它适用于使用 TO-220AB 封装和三个引脚在 PCB 上进行通孔安装。
应遵守哪些栅极驱动因素?
将栅极驱动最大值保持在 ±30 V 内,并在调整驱动器电流以达到所需的切换速度时考虑典型的 53 nC 栅极电荷。
热管理应如何处理以确保可靠运行?
使用合适的散热器或热接口,以保持接点温度低于额定限值,因为具有 156 W 耗散能力和特定应用的占空比。