Vishay N沟道MOS管, Vds=800 V, 2.9 A, IPAK (TO-251), 通孔安装, 3引脚, E系列
- RS 库存编号:
- 210-4997
- 制造商零件编号:
- SIHU2N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | RMB3.50 | RMB35.00 |
| 750 - 1490 | RMB3.395 | RMB33.95 |
| 1500 + | RMB3.327 | RMB33.27 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 210-4997
- 制造商零件编号:
- SIHU2N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.9 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.5. Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2 → 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.9 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
封装类型 IPAK (TO-251) | ||
系列 E | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 2.5. Ω | ||
最大栅阈值电压 2 → 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Vishay e 系列功率 mosfet 采用 ipak （ to -251 ）封装类型。
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低有效电容（吻）
减少切换和传导损耗
超低栅极电荷 (Qg)
雪崩能量等级（ uis ）
集成齐纳二极管 esd 保护
低有效电容（吻）
减少切换和传导损耗
超低栅极电荷 (Qg)
雪崩能量等级（ uis ）
集成齐纳二极管 esd 保护