Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=54.7 A, 8针, PowerPAK 1212, SiSS30ADN系列

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包装方式：
RS 库存编号:
210-5011
制造商零件编号:
SiSS30ADN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

54.7A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

SiSS30ADN

包装类型

PowerPAK 1212

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

7.4mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19.5nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

57W

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

3.4mm

高度

830μm

宽度

3.4mm

汽车标准

否

Vishay n 沟道 80 v （ d-s ） mosfet 采用 powerpak 1212-15v 封装类型、漏极电流为 8S 。

trench场 效应第四代功率 mosfet

极低 rds x qg 品质因数（ fom ）

调谐至最低 rds x qoss fom

经过 100% rg 和 uis 测试

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