Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 162 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiSS52DN-T1-GE3, SiSS52DN系列
- RS 库存编号:
- 210-5016P
- 制造商零件编号:
- SiSS52DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计 750 件 (以卷装提供)*
¥4,308.00
(不含税)
¥4,868.25
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 14,430 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1490 | RMB5.744 |
| 1500 + | RMB5.572 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 210-5016P
- 制造商零件编号:
- SiSS52DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 162A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | SiSS52DN | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.95mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 57W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 43.2nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.83mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 162A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 SiSS52DN | ||
包装类型 PowerPAK 1212 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.95mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 57W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43.2nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.4 mm | ||
长度 3.4mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.83mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay n 沟道 30 v （ d-s ） mosfet 采用 powerpak 1212-15v 8S 封装类型。
trenchet gen v 功率 mosfet
极低 rds x qg 品质因数（ fom ）
具有极低 rds （接通）和热性、可实现更高的功率密度 增强型紧凑型封装
经过 100% rg 和 uis 测试