Vishay N型, N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=70 V, 66.7 A, PowerPAK 1212-8S, 表面, 表面安装, 8引脚, SiSS78LDN-T1-GE3, SiSS78LDN系列
- RS 库存编号:
- 210-5020P
- 制造商零件编号:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 210-5020P
- 制造商零件编号:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型, N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 66.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 70V | |
| 系列 | SiSS78LDN | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8S | |
| 安装类型 | 表面, 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 57W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.83mm | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型, N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 66.7A | ||
最大漏源电压 Vd 70V | ||
系列 SiSS78LDN | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8S | ||
安装类型 表面, 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 57W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.83mm | ||
宽度 3.4mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay N 沟道 70V (D-S) MOSFET 采用 PowerPAK 1212-8S 封装类型。
TrenchFET 第四代功率 MOSFET
极低的 RDS x Qg 品质因数 (FOM)
优化实现最低 RDS x Qoss 品质因数
通过 100% 栅极电阻与 UIS 测试